iskatel007 писал(а):Напрочь запутали!
Есть диоды в ДХО - такие (
http://netuning.ru/index.php?productID=139) - не выдают ошибок никаких, при установке - по отзывам. У меня нет никакого ксенона и т.д. - всё штатно! На сколько безопасно устанавливать диоды такие!? Проблема напрямую связана с ксеноном или же просто заключается в диодах самих?
Попробую "распутать"...
Штатной лампой в ДХО - является обычная лампа накаливания P21W. Контроль лампы осуществляется подачей коротких импульсов питания при выключенных ДХО и включенном зажигании автомобиля, а во время работы ДХО методом замера потребляемого тока лампы. Лампа накаливания, с точки зрения электротехники, представляет собой активную нагрузку, без реактивной (емкостной или индуктивной) составляющей.
При установке вместо лампы накаливания светодиодной сборки - работоспособность выходных элементов блока управления, зависит от того, какой характер нагрузки будет иметь нововведенный элемент. Если это будет лампа, не содержащая на входе значительных емкостей, или индуктивностей - особых проблем быть не должно. Но схема контроля ламп, с большой вероятностью, будет работать при этом некорректно, т.к. сопротивление светодиодной сборки, значительно отличается в большую сторону от сопротивления холодной нити лампы накаливания, да и потребляемый ток у светодиодных сборок, как правило меньше.
Для того, чтобы избежать "ложного" срабатывания схемы контроля в светодиодные лампы пихают различные элементы, выступающие в роли "обманок". Либо, в отдельных случаях, ставят вторичный преобразователь питания светодиодов DC/DC (чаще всего такое встречается в многоэлементных лампах). В этом случае нагрузка блока управления приобретает ярко выраженный емкостной или индуктивный характер, что в конечном итоге и приводит к появлению проблем. В случае, если используется "емкостная" обманка - ключи испытывают значительную перегрузку по току, в момент включения ламп (за счет зарядного тока конденсаторов большой емкости, используемых в качестве "обманки", и создающих аналог низкого сопротивления цепи, при импульсной, "холодной" проверке). В случае индуктивного характера нагрузки - за счет ЭДС самоиндукции, возникающей при импульсном контроле, и в моменты выключения - ключи страдают от повышенного напряжения.
Таким образом - основная проблема скрывается в том, что значительная часть светодиодных ламп, с точки зрения блока управления, не соответствуют его выходным цепям, по характеру нагрузки. Для корректной работы со светодиодами, необходимо отключить импульсную проверку ламп, отключить широтно-импульсное регулирование яркости (которым получают 92%), и применять только лампы, с токоограничительными резисторами, без встроенных преобразователей DC/DC.
С основным светом в фарах ("ксенон"/галоген) цепи ДХО никак не связаны. Параметры "обманки" в 99% случаев подбираются с "огромным запасом", без поправок на схемотехнику конкретного блока. Что же касается ламп с преобразователями - то в них схема считается в первую очередь, под соответствие параметрам примененных светодиодов, без учета характеристик питающих цепей. Т.е. большинство этих "нанотехнологичных" светодиодных ламп, предназначено для использования на автомобилях конструкции 70-х..80-х годов прошлого века, где основными коммутационными элементами были выключатели и реле, которым характер нагрузки, в прямом смысле этого слова - "до лампочки".
На наших же машинах, в качестве коммутационных элементов используются MOSFET транзисторы, отличительной особенностью которых, является то, что они на самом деле представляют собой несколько одинаковых элементов на одном кристалле, соединенных между собой в некую матрицу, и в зависимости от порядка соединения, позволяющих использовать элементы для работы с более высокими, чем допустимо для одного элемента напряжениями и токами. Вполне естественно, что отдельные элементы MOSFET транзистора - не являются 100% однородными, и соответственно отдельные ячейки структуры, представляют собой "слабое звено". Если нагрузки на ключ, не превышают паспортных - все элементы работают достаточно надежно, в отведенном им диапазоне рабочих напряжений, токов и температур. Но вот если один из этих параметров будет превышать допустимые значения, то "дефектные" ячейки выйдут из строя, и нагрузка с них перераспределится на соседние. В определенный момент - количество "дефектных" ячеек структуры превысит порог лавинообразного выхода из строя по перегрузке, и тогда, при следующей перегрузке - ключ будет пробит, либо уйдет в обрыв. Т.е. выйдет из строя. Т.к. реальное количество ячеек в одном ключе достаточно велико и может исчислятся десятками и даже сотнями - сразу он из строя не выйдет, и процесс растянется на некоторое время, величина которого будет зависеть от сочетания трех основных перегрузочных факторов - напряжений, тока, и температуры. Как-то так...
P.S. В предыдущем абзаце, попытался изложить процессы, происходящие при выходе из строя полупроводниковых MOSFET ключей, в переложении для 7-го класса средней школы. Насколько мне это удалось - судить вам.